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黄河（c）完美的VO2和（d）氧缺陷Od-VO2的Zn2+吸附结构几何形状（侧视图）。结合DFT理论计算、凤凰XRD及晶格参数数据，表明在VO2(B)中引入氧空位可以沿b轴形成更大的隧道结构，有利于锌离子的脱嵌，从而改善其反应动力学。

因此，大桥动并大桥氧缺陷结构更有利于Zn2+可逆吸附/解吸。除此之外，通车通车北京航空航天大学的杨树斌教授团队[11]通过用低价氧取代高价氮的方式构筑了具有丰富空位或缺陷的无序岩盐结构，通车通车从而有效解锁了岩盐氧化钒储存Zn2+的电化学反应潜力。孙立（b）界面处电子和离子转移的示意图。

因此，成出Od-VO2-rG复合正极表现出优异的电化学性能，成出具有高容量（0.1Ag-1：376mAhg-1），令人印象深刻的倍率容量（20Ag-1：116mAhg-1）和令人满意的循环稳定性（5000次循环后容量保持率为88.6％）。经过密度泛函理论模拟计算，席活宣布完美的结构实现了更强的Zn2+吸附，具有约-2.736eV的较低吸附自由能。

从另一方面来讲，济南建成缺陷工程技术可以增加更多的电化学能量存储位点、增强离子扩散和电子转移动力学以及增强晶体结构稳定性[2-5]。

根据已有文献的报道，黄河缺陷工程技术不仅能够提高锰基材料的电化学性能，对于过渡金属氧化物的钒基材料同样也适用。HTC和该中心将开发传感器、凤凰显示器、图形、数据视觉化、人-机交互及其他技术，力争有所突破。

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